P溝MOS晶體管

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，叫源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有滿足的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅外表呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓能夠改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。假如N型硅襯底外表不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾許尺寸和工作電壓絕對值相等的狀況下，PMOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS管。此外，P溝道MOS管閾值電壓的絕對值普通偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。這就給PMOS管的運(yùn)用領(lǐng)域有了必定的限制。

PMOS管因邏輯擺幅大，充電放電進(jìn)程長，加之器材跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS管電路呈現(xiàn)之后，大都已為NMOS電路所替代。僅僅，因PMOS管電路工藝簡略，價(jià)錢低廉，有些中范圍和小范圍數(shù)字控制電路仍采用PMOS管電路技能。PMOS管的特性，Vgs小于必定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的狀況（高端驅(qū)動）。

當(dāng)然PMOS管能夠很便當(dāng)?shù)赜米鞲叨蓑?qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，交流種類少等緣由，在高端驅(qū)動中，一般還是運(yùn)用NMOS管。正常工作時(shí)，P溝道增強(qiáng)型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應(yīng)為負(fù)值，以保證兩個(gè)P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，一起為了在襯底頂外表左近構(gòu)成導(dǎo)電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應(yīng)為負(fù)。