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MOS管參數(shù)大全

信息來源：本站　日期：2017-04-27　

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Mosfet參數(shù)意義闡明 Features:


Vds：    DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓
Rds(on)：DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻



Id：     最大DS電流.會隨溫度的增加而下降
Vgs:     最大GS電壓.通常為：-20V~+20V


Pd:      最大耗散功率

Tj:      最大作業(yè)結溫，通常為150度和175度

Tstg:    最大存儲溫度

Idm:     最大脈沖DS電流.會隨溫度的增加而下降，表現(xiàn)一個抗沖擊才華，跟脈沖時刻也有聯(lián)絡

Iar:     雪崩電流

Ear:     重復雪崩擊穿能量

BVdss：  DS擊穿電壓  Idss:    豐滿DS電流，uA級的電流 Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量  Igss:    GS驅動電流，nA級的電流.

Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量

gfs:     跨導  Qg:      G總充電電量

Qgs:     GS充電電量

Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量

Qgd:     GD充電電量

Td(on):  導通推遲時刻，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時刻


Tr:      上升時刻，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時刻
Td(off): 關斷推遲時刻，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時刻


Ciss:    輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.

Tf:      下降時刻，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時刻

Coss:    輸出電容，Coss=Cds +Cgd.  Crss:    反向傳輸電容，Crss=Cgc.

聯(lián)系方式：鄒先生

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


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