KIA35P10A替代CMD5950 PDF資料參數-KIA35P10A大批量供貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-05-13
CMD5950采用先進的溝槽技術和設計，提供優(yōu)良的低門電荷RDS（on），它可用于多種用途。
P溝道
低電阻
快速切換100%
雪崩測試
漏源電壓：-100V
柵源電壓：20V
連續(xù)漏電流：-35a
脈沖漏極電流：-105a
雪崩電流：- 35 A
總功耗：50w
儲存溫度范圍：- 55至150
工作結溫度范圍：150℃
1、RDS(on)=42mΩ（typ)@VGS=10V
2、100%EAS保證
3、綠色設備可用
4、超低門電荷
5、Cdv/dt效應低
6、先進的高密度槽道技術
7、KIA35P10A采用先進的溝槽MOSFET技術，以提供優(yōu)良的RS（ON）和門KIA35P10A符合RoHS和Green的要求，適用于多種用途。KIA35P10A產品要求：100%EAS保證，功能可靠。
產品型號：KIA35P10A
工作方式：-35A/-100V
漏源極電壓：-100V
柵源電壓：±20V
單脈沖雪崩能：345MJ
雪崩電流:28A
總功耗:104W
操作和儲存溫度范圍：-55℃至+150℃
1、電動車防盜器
2、農機
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