元器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)
信息來源:本站 日期:2017-06-13
人類研究半導(dǎo)體器件已經(jīng)超過125年‘n,迄今大約有60種主要的器件以及100種和主要器件相關(guān)的變異器件‘q.但所有這些器件均可由幾種基本器件結(jié)構(gòu)所組成圖1.2(a)是金屬半導(dǎo)體( metal-semiconductor)接觸界兩(interface)的示意圖,此種界面由金屬和半導(dǎo)體兩種材料緊密接觸所形成.早在公元1874年即有人研究這種基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),可以說,它開創(chuàng)了半導(dǎo)體器件研究的先河.
金屬一半導(dǎo)體可以用來做整流接觸( rectifying contact).使電流只仇由單一方向流過:或者也可以用來作歐姆接觸(ohmic contact)電流可以雙向通過·且落在接觸上的電壓降很小,甚至可以忽略.此種界面可以用來形成很多有用的器件例如,利用整流接觸當(dāng)(Sate),利用歐姆接觸當(dāng)作漏極(drain)和豫極(source),即形成一個(gè)金半場效應(yīng)晶體臂(metal-semiconductor field-effec transistoriMESFE7).;棒穢晶體管是一種很熏要的微波器件( microwave device)
第二種基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)是p-n結(jié)(junction),如圖1.2(b)所示,是一種由p型(有帶正電的載流子)和n型(有帶負(fù)電的載流子)半導(dǎo)體接觸成的結(jié).p-n結(jié)是大部分半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),其理論也可說是半導(dǎo)體器件物理的基礎(chǔ),如果我們結(jié)合兩個(gè)p-n結(jié),亦即加上另一個(gè)p型半導(dǎo)體·就可以形成一|個(gè).p-n-p雙極型晶體管(p-n-p!bipolartransistorJ.,這是_二種在1947年發(fā)明的晶體管,它為半導(dǎo)體工業(yè)帶來了空前的沖擊.而如果我們結(jié)合蘭個(gè)pn結(jié)就可以形成p-n-p-n結(jié)構(gòu)·這是一種開關(guān)器件(switching device).叫作可控硅器件(thyristor).
第三種基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)是異質(zhì)結(jié)( heteroj unction interfade),如圖1.2Cc)所示,這是由兩種不同材料的半導(dǎo)體接觸形成的結(jié).例如,我們可以用砷化鎵和砷化鋁接觸來形成一個(gè)異質(zhì)結(jié).異質(zhì)結(jié)是快速器件和光電器件的關(guān)鍵構(gòu)成要素
圖1.2(d)顯示的是金屬一氧化物一半導(dǎo)體( metal-oxide-sem.iconductor,MOS)結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)可以視為是金屬·氧化物界面和氧化一半導(dǎo)體界面的結(jié)合,用mos結(jié)構(gòu)當(dāng)作柵極,再用兩個(gè)p-n結(jié)分別當(dāng)作漏極和源極,就可以制作出金氧半場效應(yīng)晶體管(metalt-oxide semi-conductor field-effect transistor,MOSFET),對先進(jìn)的集成電路而言,要將上萬個(gè)器件整合在一個(gè)集成電路芯片(chip,或譯晶粒)中,MOSFET是最重要的器件.
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