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mos管電壓規(guī)格是什么,什么是VMOS管柵極

信息來(lái)源:本站 日期:2017-07-31 

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電壓規(guī)格:VDSS、VDS、BVDSS、V(BR)DSS

VDSS中的“V”表示電壓,前面的“D”、“S”表示“Drain”(漏極)與“Source”(源極),最后一個(gè)“s”表示“Short”(短路)。VDSS的具體含義是“Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted”,中文含義是“柵極與源極短接時(shí),漏極與源極問能夠承受的最大電壓”。有時(shí)候也稱為“零柵壓最大漏源電壓”。


—-直稱之為“電壓規(guī)格”,之后我們還將這樣稱呼它,既簡(jiǎn)單又明了,同時(shí)還給它另一個(gè)稱呼:耐壓,這符合行業(yè)習(xí)慣。因?yàn)槌^電壓規(guī)格,VMOS就可能被擊穿損壞,因此電壓規(guī)格有時(shí)候也稱為“零柵壓擊穿電壓”。


BVDSS(漏源擊穿電壓)的含義雖然與VDSS略有差異,但是在數(shù)值上一般是相同的。一般技術(shù)手冊(cè)中給出的VDSS為額定值,BVDSS給出的是最小值,所謂數(shù)值相同,是VDSS的額定值與BVDSS的最小值相同。由此可以看出來(lái),VDSSV是側(cè)重于測(cè)量的一個(gè)參數(shù),BVDSS是側(cè)重于電路應(yīng)用的參數(shù)。

VDSS、VDS的含義相同,BVDSS、V(BR)DSS的含義相同,只是不同制造商的應(yīng)用習(xí)慣有所不同。但是VDS也常常用來(lái)表示源極與漏極之間的實(shí)際電壓而不是極限的擊穿電壓,因此為了避免歧義,采用的是VDSS。


很顯然,VDSS表示的是VMOS在關(guān)斷條件下承受正向電壓的能力。在關(guān)斷條件下,VMOS的柵極—源極間的偏置不外乎四種情況(圖3.1)。


反向偏置指的是讓VMOS關(guān)斷程度加深的偏置電壓,對(duì)于N溝道VMOS,顯然是柵極電壓低于源極電壓的情況;P溝道則相反。這種方式在高頻條件下比零柵壓更為可靠,在實(shí)際的高頻電路中,尤其是希望VMOS迅速關(guān)斷的電路中,這種負(fù)柵壓的偏置方法會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)。


旁路( Shunt)方法是希望VMOS的關(guān)斷不要像反向偏置那么快,在常態(tài)下,與零柵壓是相當(dāng)?shù)模撮_封的新模塊上常常會(huì)配置旁路電阻,以保護(hù)模塊不會(huì)被靜電擊穿。在有些高速電路中,為了減小電路中的電流變化速度,也會(huì)采用旁路柵極的方法。旁路的另一個(gè)作用是,使VMOS的輸入電阻不至于過高,有了旁路電阻,VMOS的輸人電阻就大致等于旁路電阻的阻值。


對(duì)于VMOS而言,柵極懸空無(wú)論是何種條件下都是應(yīng)該盡量避免的,稍有不慎,就會(huì)導(dǎo)致VMOS擊穿損壞。這時(shí)候的擊穿一般是柵極與源極擊穿,而不管源極、漏極間的電壓是高還是低。 除了槽柵結(jié)構(gòu)的VMOS,零柵壓、反相偏置、旁路情況下測(cè)得的擊穿電壓是大致相等的;對(duì)于槽柵結(jié)構(gòu)的VMOS,零柵壓情況下測(cè)得的擊穿電壓最高。因此,VDSS表示的是VMOS在關(guān)斷條件下承受正向電壓的最高能力。


圖3.1中的可調(diào)電流源”指的是限流電路,保證回路電流不超過某一設(shè)定值,“可調(diào)電壓源”就比較容易理解了。這兩種電源符號(hào)在測(cè)試晶體管的電路中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)。


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