5N60場效應管參數代換 5N60引腳圖 5N60E參數4.5A600V-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-08-05
這些N溝道增強模式的功率場效應晶體管是用KIA半導體制造的專有、平面、DMOS技術。這項先進的技術經過了特別的調整，以使其最小化通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和換向模式。這些器件非常適合于高效率的開關模式電源供應和電子燈鎮(zhèn)流器的基礎上的半橋。
4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v
低反饋電容（典型值8.0pf）
低柵極電荷（典型值高= 16nc）
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
符合RoHS
產品編號：KIA 5N60
系列名稱：MOSFET
溝道：N溝道
耗散功率（pd）：100
漏源反向電壓（Vds）：600
柵源反向電壓（Vgs）：30
漏極電流（連續(xù)）（id）：5
最高結溫（Tj），℃：150
上升時間（tr）：42
輸出電容（Cd），PF：55
通態(tài)電阻（Rds），ohm：1.8
封裝形式：TO-220、TO-220F等
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產品。
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