7150場效應(yīng)管,20A 500V,KNH7150A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-27
KNH7150A場效應(yīng)管采用專有新平面技術(shù)，漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V，具有低柵極電荷最小化開關(guān)損耗、快恢復(fù)體二極管，是一款性能出色的器件，7150場效應(yīng)管在適配器充電器、開關(guān)電源、液晶面板電源應(yīng)用中表現(xiàn)出色，可與20N50場效應(yīng)管代換使用，封裝形式：TO-3P。
漏源電壓：20V
漏極電流：500A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：0.24Ω
柵源電壓：±30V
雪崩能量單脈沖：1500MJ
總功耗：275W
總柵極電荷：65nC
輸入電容：2650pF
輸出電容：255pF
反向轉(zhuǎn)移電容：34pF
開通延遲時間：34nS
關(guān)斷延遲時間：164nS
上升時間：76ns
下降時間：85ns
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