7150場效應(yīng)管,20A 500V,KNH7150A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-06-27
KNH7150A場效應(yīng)管采用專有新平面技術(shù),漏源擊穿電壓500V,漏極電流20A,RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V,具有低柵極電荷最小化開關(guān)損耗、快恢復(fù)體二極管,是一款性能出色的器件,7150場效應(yīng)管在適配器充電器、開關(guān)電源、液晶面板電源應(yīng)用中表現(xiàn)出色,可與20N50場效應(yīng)管代換使用,封裝形式:TO-3P。
漏源電壓:20V
漏極電流:500A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):0.24Ω
柵源電壓:±30V
雪崩能量單脈沖:1500MJ
總功耗:275W
總柵極電荷:65nC
輸入電容:2650pF
輸出電容:255pF
反向轉(zhuǎn)移電容:34pF
開通延遲時間:34nS
關(guān)斷延遲時間:164nS
上升時間:76ns
下降時間:85ns
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