fhp100n07參數(shù)代換,KNP2906B場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-07-03
KNP2906B能夠代換飛虹fhp100n07場效應(yīng)管進行使用,KNP2906B采用KIA的先進技術(shù)生產(chǎn),使MOS管具有更好的特性,包括快速開關(guān)時間、低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和特別優(yōu)異的雪崩特性。
KNP2906B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流130A,其RDS(開)典型值為4.6mΩ@VGS=10V,低柵極電荷(典型值為148nC),具有高堅固性和100%的雪崩測試,穩(wěn)定可靠;還具有改進的dv/dt能力,適用于同步整流、鋰電池保護板和逆變器等多種應(yīng)用場景,能夠有效減小功率損耗和提高整體效率。
漏源電壓:60V
漏極電流:130A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):4.6mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:580A
雪崩能量單脈沖:506MJ
總功耗:195.3W
總柵極電荷:148nC
輸入電容:6564PF
輸出電容:553PF
開通延遲時間:35nS
關(guān)斷延遲時間:135nS
上升時間:78ns
下降時間:60ns
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