75nf75場效應(yīng)管代換,75nf75場效應(yīng)管參數(shù),引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-30
KIA75NF75場效應(yīng)管采用先進(jìn)的技術(shù)，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低Rds開啟，RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V，減少導(dǎo)電損耗、提升效率；無鉛和綠色設(shè)備的特點，符合環(huán)保要求；高雪崩電流，在運(yùn)行時承受更高的沖擊負(fù)載，提供更穩(wěn)定和可靠的性能；在電動車控制器、逆變器、BMS中廣泛應(yīng)用，封裝形式：TO-220、TO-263。
漏源電壓：80V
漏極電流：80A
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
最大功耗：240W
輸入電容：3110PF
輸出電容：445PF
開通延遲時間：20.4nS
關(guān)斷延遲時間：67nS
上升時間：63ns
下降時間：43ns
KIA75NF75場效應(yīng)管以其出色的性能和功能，在各種電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。它的低導(dǎo)通損耗、高雪崩電流和環(huán)保特性使其成為一款理想的選擇，既滿足了能量傳輸?shù)母咝室?，又符合了環(huán)境保護(hù)的需求。
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