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65N06現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA65N06 PDF文件下載 65A、60V-65N06-KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-01-29 

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KIA65N06參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管是使用起亞的專有的,平面條形DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于低電壓應(yīng)用,如汽車,DC /直流轉(zhuǎn)換器,高效的電源管理開關(guān)在便攜式和電池供電產(chǎn)品。這些N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管使用的是起亞的專有的,平面條形DMOS工藝制作。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并能承受高能量脈沖。


在雪崩和換相模式下。這些設(shè)備非常適合于低電壓應(yīng)用,如汽車,DC / DC轉(zhuǎn)換器,以及高效率的開關(guān)電源管理便攜式和電池供電的產(chǎn)品。


特征

65A, 60V, RDS(on)= 0.016Ω @VGS= 10V

低柵極電荷(典型的48nc)

Low Crss(典型的32.5pf)

快速切換

100%雪崩測試

改進(jìn)的dt/dt能力

175o最高結(jié)溫度等級


產(chǎn)品型號:KIA65N06

工作方式:65A /60V

漏源電壓:60V

柵源電壓:±20V

雪崩能量:650mJ

耗散功率:150W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:60V

溫度系數(shù):0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:200 PF

輸出電容:450 PF

上升時間:33 ns

封裝形式:TO-220、TO-220F、TO-263


KIA65N06(65A/60V))
產(chǎn)品編號 KIA65N06/AB

FET極性

N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管是使用起亞的專有的,平面條形DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于低電壓應(yīng)用,如汽車,DC /直流轉(zhuǎn)換器,高效的電源管理開關(guān)在便攜式和電池供電產(chǎn)品。
產(chǎn)品特征

65A, 60V, RDS(on)= 0.016Ω @VGS= 10 V

低柵極電荷(典型的48nc)

Low Crss(典型的32.5pf)

快速切換

100%雪崩測試

改進(jìn)的dt/dt能力

175o最高結(jié)溫度等級

適用范圍

主要適用于低電壓應(yīng)用,如汽車,DC /直流轉(zhuǎn)換器,高效的電源管理開關(guān)在便攜式和電池供電產(chǎn)品。這些N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管使用的是起亞的專有的,平面條形DMOS工藝制作。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并能承受高能量脈沖。

在雪崩和換相模式下。這些設(shè)備非常適合于低電壓應(yīng)用,如汽車,DC / DC轉(zhuǎn)換器,以及高效率的開關(guān)電源管理便攜式和電池供電的產(chǎn)品。

封裝形式 TO-220、TO-220F、TO-263
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KIA原廠家
網(wǎng)址 www.kiaic.com
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