KIA18N50參數(shù)

功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)越的。開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正?；诎霕蛲?fù)洹?/span>

KIA18N50特征

RDS(on) =0.25? @ VGS=10V

低柵極電荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測(cè)試

改進(jìn)的dv / dt的能力

產(chǎn)品型號(hào)：KIA18N50

工作方式：18A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：18.0*A

脈沖漏極電流：72A

雪崩能量：990mJ

耗散功率：38.2W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：500V

溫度系數(shù)：0.6V/℃

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：2500 PF

輸出電容：400 PF

上升時(shí)間：190 ns

封裝形式：TO-220F、TO-247

	KIA18N50（18A 500V）
產(chǎn)品編號(hào)	KIA18N50/HF
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)越的。開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖
產(chǎn)品特征	RDS(on) =0.25? @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的16nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv / dt的能力
適用范圍	產(chǎn)品主要適用于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正?；诎霕蛲?fù)洹?/span>
封裝形式	TO-220F、TO-247
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廠(chǎng)家	KIA原廠(chǎng)家
網(wǎng)址	www.kiaic.com
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