3650現(xiàn)貨供應商 KIA3650 60A/500V PDF文件 3650參數(shù)詳細資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源:本站 日期:2018-02-07
高電壓MOSFET采用先進的終止方案,提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外,這種先進的MOSFET設(shè)計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節(jié)能設(shè)計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。高電壓設(shè)計,高速開關(guān)電源,轉(zhuǎn)換器和PWM電機控制中的應用程序,這些設(shè)備特別適用于橋式電路,二極管速度和換向安全操作區(qū)域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
KCM3650特征
強大的高壓終止
雪崩能量
源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管
二極管的特點是用于橋式電路
IDSS和VDS(上)指定高溫
隔離安裝孔減少安裝硬件
KCM3650參數(shù)指標
產(chǎn)品型號:KIA3650
工作方式:60A/500V
漏源電壓:500V
柵源電壓:±20V
漏電流連續(xù):60A
脈沖漏極電流:180A
雪崩能量:1280mJ
耗散功率:54W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:500V
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:3180 PF
輸出電容:4400 PF
上升時間:52 ns
封裝形式:TO-220F、TO-247
|
KCM3650(60A 500V) |
產(chǎn)品編號 | KCM3650A |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品工藝 |
高電壓MOSFET采用先進的終止方案,提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外,這種先進的MOSFET設(shè)計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節(jié)能設(shè)計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。高電壓設(shè)計,高速開關(guān)電源,轉(zhuǎn)換器和PWM電機控制中的應用程序。 |
產(chǎn)品特征 |
強大的高壓終止 雪崩能量 源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管 二極管的特點是用于橋式電路 IDSS和VDS(上)指定高溫 隔離安裝孔減少安裝硬件 |
適用范圍 |
主要適用于橋式電路,二極管速度和換向安全操作區(qū)域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。 |
封裝形式 | TO-220F、TO-247 |
PDF文件 |
【直接在線預覽】 |
LOGO |
|
廠家 | KIA原廠家 |
網(wǎng)址 | vv678a.com |
PDF頁總數(shù) | 總5頁 |
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關(guān)注”
長按二維碼識別關(guān)注