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P溝道MOS管-P溝道MOS管型號(hào)、參數(shù)及工作原理-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-07-17 

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場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)

① 開(kāi)啟電壓VGS(th) (或VT)

開(kāi)啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù),柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值,場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通

② 夾斷電壓VGS(off) (或VP)

夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù),當(dāng)VGS=VGS(off) 時(shí),漏極電流為零

③ 飽和漏極電流IDSS

耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管,當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流

④ 輸入電阻RGS

場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值,對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管,反偏時(shí)RGS約大于107Ω,對(duì)于絕緣柵場(chǎng)型效應(yīng)三極管,RGS約是109~1015Ω

⑤ 低頻跨導(dǎo)gm

低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用,這一點(diǎn)與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取,單位是mS(毫西門子)

⑥ 最大漏極功耗PDM

最大漏極功耗可由PDM= VDS ID決定,與雙極型三極管的PCM相當(dāng)


P溝道MOS管型號(hào)

Part Numbe

IDA

BVDSSV

RDSON)(Ω)

Package

KIA2301

-2.8

-20

0.12

SOT-23

KIA2305

-3.5

-20

0.055

SOT-23

KIA3401

-4

-30

0.06

SOT-23

KIA3407

-4.1

-30

0.06

SOT-23

KIA3409

-2.6

-30

0.13

SOT-23

KIA3415

-4

-16

0.045

SOT-23

KIA3423

-2

-20

0.092

SOT-23

KIA4953

-5.3

-30

0.063

SOP-8

KIA9435

-5.3

-30

0.06

SOP-8

KIA7P03A

-7.5

-30

0.018

SOP-8

KIA4435

-10.5

-30

0.018

SOP-8



Part Numbe

IDA

VDSSv

內(nèi)阻(小)

內(nèi)阻(大)

ciss

Package

pF

KIA23P10A

-23

-100

0.95

0.078

3029

TO-252

KIA35P10A

-35

-100

0.055

0.042

4920

TO-252

KPD8610A

-35

-100

0.055

0.042

6516

TO-252


N溝道MOS管部分型號(hào)

Part Numbe

IDA

VDSSv

內(nèi)阻(?。?/span>

內(nèi)阻(大)

ciss

Package

pF

KIA9N90H

9

900

1.4

1.12

2780

TO-247

KAI18N50H

18

500

0.32

0.25

2500

TO-247

KIA20N50H

20

500

0.26

0.21

2700

TO-247

KIA24N50H

24

500

0.2

0.16

3500

TO-247

KIA3306A

80

60

0.008

0.007

3390

TO-247

KNM3308A

80

80

0.09

0.0062

3110

TO-247

KIA2906A

130

60

0.007

0.0055

3100

TO-247

KIA2807N

150

75

0.006

0.005

7200

TO-247

KIA2808A

150

80

0.0045

0.004

6109

TO-247

KIA2806A

160

40

0.0045

0.0035

4376

TO-247

KIA2804A

190

60

0.0035

0.0022

4800

TO-247

KIA2N60H

2

600

5

4.1

200

TO-220F

KIA3N80H

3

800

4.8

4

543

TO-220F

KNF4360A

4

600

2.3

1.9

511

TO-220F

KIA4N60H

4

600

2.7

2.3

500

TO-220F

KIA730H

6

400

1

0.83

520

TO-220F

KIA9N90H

9

900

1.4

1.12

2780

TO-3P

KIA10N80H

10

800

1.1

0.85

2230

TO-3P

KIA16N50H

16

500

0.38

0.32

2200

TO-3P

KIA18N50H

18

500

0.32

0.25

2500

TO-3P

KIA20N40H

20

400

0.25

0.2

2135

TO-3P

KIA20N50H

20

500

0.26

0.21

2700

TO-3P

KIA24N50H

24

500

0.2

0.16

3500

TO-3P

KNH8150A

30

500

0.065

0.15

4150

TO-3P

KNH9120A

40

200

0.1

0.05

2800

TO-3P


P溝道MOS管工作原理

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為銜接源極和漏極的溝道。改動(dòng)?xùn)艍嚎梢愿膭?dòng)溝道中的電子密度,從而改動(dòng)溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。假設(shè)N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道,加上恰當(dāng)?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值普通偏高,懇求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過(guò)程長(zhǎng),加之器件跨導(dǎo)小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)呈現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)錢低價(jià),有些中范圍和小范圍數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適宜用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是,固然PMOS可以很便當(dāng)?shù)赜米鞲叨蓑?qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)錢貴,交流種類少等緣由,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是運(yùn)用NMOS。

正常工作時(shí),P溝道增強(qiáng)型MOS管的襯底必需與源極相連,而漏心極的電壓Vds應(yīng)為負(fù)值,以保證兩個(gè)P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏,同時(shí)為了在襯底頂表面左近構(gòu)成導(dǎo)電溝道,柵極對(duì)源極的電壓Vgs也應(yīng)為負(fù)。

1.Vds≠O的情況導(dǎo)電溝道構(gòu)成以后,DS間加負(fù)向電壓時(shí),那么在源極與漏極之間將有漏極電流Id流通,而且Id隨Vds而增加.Id沿溝道產(chǎn)生的壓降使溝道上各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等,該電壓削弱了柵極中負(fù)電荷電場(chǎng)的作用,使溝道從漏極到源極逐漸變窄.當(dāng)Vds增大到使Vgd=Vgs(TH),溝道在漏極左近呈現(xiàn)預(yù)夾斷.

2.導(dǎo)電溝道的構(gòu)成(Vds=0)當(dāng)Vds=0時(shí),在柵源之間加負(fù)電壓Vgs,由于絕緣層的存在,故沒(méi)有電流,但是金屬柵極被補(bǔ)充電而聚集負(fù)電荷,N型半導(dǎo)體中的多子電子被負(fù)電荷排斥向體內(nèi)運(yùn)動(dòng),表面留下帶正電的離子,構(gòu)成耗盡層,隨著G、S間負(fù)電壓的增加,耗盡層加寬,當(dāng)Vgs增大到一定值時(shí),襯底中的空穴(少子)被柵極中的負(fù)電荷吸收到表面,在耗盡層和絕緣層之間構(gòu)成一個(gè)P型薄層,稱反型層,這個(gè)反型層就構(gòu)成漏源之間的導(dǎo)電溝道,這時(shí)的Vgs稱為開(kāi)啟電壓Vgs(th),Vgs到Vgs(th)后再增加,襯底表面感應(yīng)的空穴越多,反型層加寬,而耗盡層的寬度卻不再變化,這樣我們可以用Vgs的大小控制導(dǎo)電溝道的寬度。



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