MOSFET開關(guān)頻率達到20KHz。MOSFET本身需要一定的功率驅(qū)動,因為MOSFET的容性負...MOSFET開關(guān)頻率達到20KHz。MOSFET本身需要一定的功率驅(qū)動,因為MOSFET的容性負載很大,門級要2A以上的電流驅(qū)動才能導(dǎo)通。因此在PWM電路和電機驅(qū)動電路之間,還需要...
用單片機的PWM信號控制mos管的開通和關(guān)斷,然后mos管后端接負載。 一個MOS管,...用單片機的PWM信號控制mos管的開通和關(guān)斷,然后mos管后端接負載。 一個MOS管,PWM的占空比變化(比如從50到100%),MOS管輸出電壓(比如100V)會變化(在這樣的情...
通過三極管作為中間級,來提高驅(qū)動能力和確保MOS管正常工作。? 單片機I/O口的...通過三極管作為中間級,來提高驅(qū)動能力和確保MOS管正常工作。? 單片機I/O口的電壓通常較低,而MOS管需要較高的驅(qū)動電壓才能達到飽和狀態(tài),因此直接驅(qū)動可能會導(dǎo)致...
最理想的 MOSFET 驅(qū)動器電路如圖1所示。這種配置常用于升壓(boost)、反激式和...最理想的 MOSFET 驅(qū)動器電路如圖1所示。這種配置常用于升壓(boost)、反激式和單開關(guān)的正激開關(guān)電源拓撲結(jié)構(gòu)中。采用正確的布板技巧和選擇合適的偏置電壓旁路電容...
VT1為NPN型三極管,其基極輸入信號的幅度只有5V,而MOS場效應(yīng)管VT2的開啟電壓較...VT1為NPN型三極管,其基極輸入信號的幅度只有5V,而MOS場效應(yīng)管VT2的開啟電壓較高,要想使其充分導(dǎo)通,其柵極驅(qū)動電壓一般要求≥10V。
L為PCB走線電感,一般直走線為1nH/mm,考慮雜七雜八的因素,取L = Length+10(...L為PCB走線電感,一般直走線為1nH/mm,考慮雜七雜八的因素,取L = Length+10(nH),其中Length單位取mm。Rg為柵極驅(qū)動電阻,設(shè)驅(qū)動信號是12V峰值的方波,Cgs為MO...