FDP51N25產(chǎn)品特點： 1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低柵極...FDP51N25產(chǎn)品特點： 1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低柵極電荷（典型的55nC） 3、低Crss（典型的63PF） 4、快速切換 5、100%雪崩試驗 6、...
mos經(jīng)典驅(qū)動電路詳解：現(xiàn)在的mos經(jīng)典驅(qū)動電路，有幾個特別的需求： 1，低壓應...mos經(jīng)典驅(qū)動電路詳解：現(xiàn)在的mos經(jīng)典驅(qū)動電路，有幾個特別的需求： 1，低壓應用，當使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓...
對MOS失效的原因分析，對1，2重點進行分析 1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們...對MOS失效的原因分析，對1，2重點進行分析 1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致...
KIA100N03AD 90A/30V替代?IR8726?，KIA100N03AD產(chǎn)品功率MOSFET采用起亞`平面...KIA100N03AD 90A/30V替代?IR8726?，KIA100N03AD產(chǎn)品功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進。這先進的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)...
KND8103A可替代L7805CV1，本文將會有KNX8103A和L7805CV1兩個型號的產(chǎn)品附件，K...KND8103A可替代L7805CV1，本文將會有KNX8103A和L7805CV1兩個型號的產(chǎn)品附件，KIA半導體10幾年一直走品質(zhì)追求，也一直力爭將質(zhì)量做好最精致完美。KAI半導體雪崩沖擊...
場效應管發(fā)熱嚴重的原因： 1、電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀...場效應管發(fā)熱嚴重的原因： 1、電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓...
