MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強(qiáng)型兩類(lèi)。由N溝道和P溝道兩種...MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強(qiáng)型兩類(lèi)。由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱(chēng)為互補(bǔ)MOS或CMOS電路。下圖表示CMOS反相器電路，由兩只增強(qiáng)型MO...
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。PMOS晶體管的空穴遷移...PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。PMOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小...
mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS...mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下...
三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在...三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在反向擊穿時(shí)，在一定的電流范圍內(nèi)（或者說(shuō)在一定功率損耗范圍內(nèi)），端電壓幾乎不變，...
n溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)操控，關(guān)于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)管方...n溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)操控，關(guān)于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)管方面來(lái)說(shuō)，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就OK了...
NMOS管英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體...NMOS管英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之...
