MOS管導(dǎo)通電阻小，可以降低導(dǎo)通時(shí)的功耗。但無(wú)論什么元件器件，追求某項(xiàng)指標(biāo)必...MOS管導(dǎo)通電阻小，可以降低導(dǎo)通時(shí)的功耗。但無(wú)論什么元件器件，追求某項(xiàng)指標(biāo)必會(huì)影響其它指標(biāo)。以MOS管來(lái)說(shuō)，高耐壓與低電阻是矛盾的，不可兼得，所以不能說(shuō)導(dǎo)通電...
由于功率MOSFET熱穩(wěn)定性好，故比雙極型晶體管并聯(lián)連接簡(jiǎn)單?？墒遣⒙?lián)連接MOSFE...由于功率MOSFET熱穩(wěn)定性好，故比雙極型晶體管并聯(lián)連接簡(jiǎn)單?？墒遣⒙?lián)連接MOSFET用于高速開(kāi)關(guān)則末必簡(jiǎn)單，從現(xiàn)象看并聯(lián)連接會(huì)發(fā)生以下兩個(gè)問(wèn)題： 1） 電流會(huì)集中某...
鋰電池保護(hù)板主要由維護(hù)IC（過(guò)壓維護(hù)）和MOS管（過(guò)流維護(hù)）構(gòu)成，是用來(lái)保護(hù)鋰...鋰電池保護(hù)板主要由維護(hù)IC（過(guò)壓維護(hù)）和MOS管（過(guò)流維護(hù)）構(gòu)成，是用來(lái)保護(hù)鋰電池電芯安全的器材。鋰電池具有放電電流大、內(nèi)阻低、壽數(shù)長(zhǎng)、無(wú)回憶效應(yīng)等被人們廣...
在完結(jié)地圖規(guī)劃并經(jīng)工藝廠家流片后，能夠選用兩種辦法對(duì)芯片進(jìn)行功能、功能測(cè)驗(yàn)...在完結(jié)地圖規(guī)劃并經(jīng)工藝廠家流片后，能夠選用兩種辦法對(duì)芯片進(jìn)行功能、功能測(cè)驗(yàn)：一種辦法是直接鍵合到PCB（印制電路板）上，另一種辦法是經(jīng)過(guò)封裝廠家進(jìn)行封裝后...
增強(qiáng)型NMOS管的工作原理 ? ?當(dāng)NMOS管的柵極與源極短接（即NMOS管的柵／...增強(qiáng)型NMOS管的工作原理 ? ?當(dāng)NMOS管的柵極與源極短接（即NMOS管的柵／源電壓VGS=O）時(shí)，源區(qū)（N+型）、襯底(P型)和漏區(qū)(N+型)形成兩個(gè)背靠背的PN結(jié)，不管...
（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過(guò)程中，電流有逐漸增大的特征，這是因?yàn)楹谋M層...（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過(guò)程中，電流有逐漸增大的特征，這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬，發(fā)生電流較大。另一方面，耗盡層展廣大容易發(fā)生DIBL效應(yīng)，使源襯底結(jié)正偏...
