mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者...mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是能夠?qū)φ{(diào)的，他們都是...
MOS管的開關(guān)條件”前而處置了MOS管的按法問題，接下來談?wù)凪OS管’ 的 開關(guān)條件...MOS管的開關(guān)條件”前而處置了MOS管的按法問題，接下來談?wù)凪OS管’ 的 開關(guān)條件 ·控制極電平為 “ 1_V ” 時MOS管導(dǎo)通 （飽和導(dǎo)通) 控制極電平為 “ 1_V ” 時...
半導(dǎo)體存儲器可區(qū)分為揮發(fā)性與非揮發(fā)件性存儲器兩類．揮發(fā)性存儲器，如動態(tài)隨機(jī)...半導(dǎo)體存儲器可區(qū)分為揮發(fā)性與非揮發(fā)件性存儲器兩類．揮發(fā)性存儲器，如動態(tài)隨機(jī)存儲器和靜態(tài)隨機(jī)存儲器，若其電源供應(yīng)關(guān)閉，將會喪失所儲存的信息，相比之下，非揮...
在高壓雙極型開關(guān)晶體管中，“下降時間”(關(guān)斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅(qū)...在高壓雙極型開關(guān)晶體管中，“下降時間”(關(guān)斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅(qū)動關(guān)斷電流特性曲線的形狀來決定，從基極關(guān)斷驅(qū)動申請到真正關(guān)斷沿之間的延時是存儲...
在開關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中，一般選用反向恢復(fù)時悶較短的整流二極管，常...在開關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中，一般選用反向恢復(fù)時悶較短的整流二極管，常用的主要有快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基勢壘二極管?？旎謴?fù)二極管和超快恢...
可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來作高電壓和高電流的控制．可控硅器...可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來作高電壓和高電流的控制．可控硅器件主要用在開關(guān)方面，使器件從關(guān)閉或是阻斷的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為開啟或是導(dǎo)通的狀態(tài)，反之亦...
