場(chǎng)效應(yīng)管引見(jiàn)篇 場(chǎng)效應(yīng)結(jié)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))職稱...場(chǎng)效應(yīng)管引見(jiàn)篇 場(chǎng)效應(yīng)結(jié)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))職稱場(chǎng)效應(yīng)管。由少數(shù)載流子參加導(dǎo)熱,也稱為多極型結(jié)晶體管。它歸于電壓掌握型半超導(dǎo)體...
來(lái)自韓國(guó)科學(xué)技術(shù)學(xué)院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,...來(lái)自韓國(guó)科學(xué)技術(shù)學(xué)院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,KAIST)的團(tuán)隊(duì)研發(fā)了一種用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
KNX6450B是一款高壓MOS管,漏源電壓500V,漏極電流13A,RDS(ON)為0.35Ω;具...KNX6450B是一款高壓MOS管,漏源電壓500V,漏極電流13A,RDS(ON)為0.35Ω;具備快速切換特性,實(shí)現(xiàn)快速切換電源,減少損耗;低柵極電荷、低反向傳輸電容、100%單...
KNX6450A場(chǎng)效應(yīng)管專為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì),在逆變器領(lǐng)域熱銷,漏源電壓...KNX6450A場(chǎng)效應(yīng)管專為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì),在逆變器領(lǐng)域熱銷,漏源電壓500V,漏極電流13A,RDS(ON)為0.40Ω;具備低柵極電荷,最小化開(kāi)關(guān)損耗,穩(wěn)定可靠...
KNP4540A具有優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性,是一款逆變器專用MOS管,漏源擊穿電壓400V,...KNP4540A具有優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性,是一款逆變器專用MOS管,漏源擊穿電壓400V,漏極電流6A,RDS(ON)值為0.8Ω,低柵極電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗,快速恢復(fù)體二極管,符...
KNH9130A采用專有新平面技術(shù),是一款逆變器專用MOS管,漏源擊穿電壓300V,漏極...KNH9130A采用專有新平面技術(shù),是一款逆變器專用MOS管,漏源擊穿電壓300V,漏極電流40A,RDS(ON)值為100mΩ,低柵極電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗,快速恢復(fù)體二極管,高效...