場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(Junction Field Effect Transister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管IGFET之分。IGFET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。

MOS場效應(yīng)管有加強(qiáng)型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個電極：D(Drain) 稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；G(Gate) 稱為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；S(Source) 稱為源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。

加強(qiáng)型MOS(EMOS)場效應(yīng)管道加強(qiáng)型MOSFET根本上是一種左右對稱的拓?fù)錁?gòu)造，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2 薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極 G。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat)，用符號B表示。

工作原理
1．溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0 V時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓，不會在D、S間構(gòu)成電流。

當(dāng)柵極加有電壓時，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th) 稱為開啟電壓），經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠，呈現(xiàn)了一薄層負(fù)離子的耗盡層。耗盡層中的少子將向表層運(yùn)動，但數(shù)量有限，缺乏以構(gòu)成溝道，所以依然缺乏以構(gòu)成漏極電流ID。

進(jìn)一步增加Vgs，當(dāng)Vgs＞Vgs(th)時，由于此時的柵極電壓曾經(jīng)比擬強(qiáng)，在靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體表層中匯集較多的電子，能夠構(gòu)成溝道，將漏極和源極溝通。假如此時加有漏源電壓，就能夠構(gòu)成漏極電流ID。在柵極下方構(gòu)成的導(dǎo)電溝道中的電子，因與P型半導(dǎo)體的載流子空穴極性相反，故稱為反型層（inversion layer）。隨著Vgs的繼續(xù)增加，ID將不時增加。

在Vgs=0V時ID=0，只要當(dāng)Vgs＞Vgs(th)后才會呈現(xiàn)漏極電流，這種MOS管稱為加強(qiáng)型MOS管。

VGS對漏極電流的控制關(guān)系可用iD=f(vGS)|VDS=const這一曲線描繪，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，見圖。

轉(zhuǎn)移特性曲線斜率gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制造用。 gm 的量綱為mA/V，所以gm也稱為跨導(dǎo)。

跨導(dǎo)的定義式如下：gm=△ID/△VGS|(單位mS)

2． Vds對溝道導(dǎo)電才能的控制

當(dāng)Vgs＞Vgs(th)，且固定為某一值時，來剖析漏源電壓Vds對漏極電流ID的影響。Vds的不同變化對溝道的影響如圖所示。

依據(jù)此圖能夠有如下關(guān)系:

VDS=VDG＋VGS= —VGD＋VGSVGD=VGS—VDS

當(dāng)VDS為0或較小時，相當(dāng)VGD＞VGS(th)，溝道呈斜線散布。在緊靠漏極處，溝道到達(dá)開啟的水平以上，漏源之間有電流經(jīng)過。

當(dāng)VDS 增加到使VGD=VGS(th)時，相當(dāng)于VDS增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的狀況，稱為預(yù)夾斷，此時的漏極電流ID根本飽和。

當(dāng)VDS增加到 VGD

當(dāng)VGS＞VGS(th)，且固定為某一值時，VDS對ID的影響，即iD=f(vDS)|VGS=const這一關(guān)系曲線如圖02.16所示。

這一曲線稱為漏極輸出特性曲線。

1． 非飽和區(qū)非飽和區(qū)又稱可變電阻區(qū)，是溝道未被預(yù)夾斷的工作區(qū)。由不等式VGS>VGS(th)、VDS

2．飽和區(qū)飽和區(qū)又稱放大區(qū)，是溝道預(yù)夾斷后所對應(yīng)的工作區(qū)。由不等式VGS>VGS(th)、VDS>VGS-VGS(th) 限定。漏極電流表達(dá)式：

在這個工作區(qū)內(nèi)，ID受VGS控制。思索厄爾利效應(yīng)的ID表達(dá)式：

3．截止區(qū)和亞閾區(qū)VGS

4．擊穿區(qū)當(dāng)VDS 增大到足以使漏區(qū)與襯底間PN結(jié)引發(fā)雪崩擊穿時，ID疾速增加，管子進(jìn)入擊穿區(qū)。

P溝道MOS場效應(yīng)管

在N型襯底中擴(kuò)散兩個P+區(qū)，分別做為漏區(qū)和源區(qū)，并在兩個P+之間的SiO2絕緣層上掩蓋柵極金屬層，就構(gòu)成了P溝道MOS管。

耗盡型MOS（DMOS）場效應(yīng)管

N 溝道耗盡型MOSFET的構(gòu)造和符號如圖3-5所示，它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。所以當(dāng)VGS=0時，這些正離子曾經(jīng)感應(yīng)出反型層，構(gòu)成了溝道。于是，只需有漏源電壓，就有漏極電流存在。當(dāng)VGS＞0時，將使ID進(jìn)一步增加。VGS＜0時，隨著VGS的減小漏極電流逐步減小，直至ID=0。對應(yīng)ID=0的VGS稱為夾斷電壓，用符號VGS(off)表示，有時也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線見圖所示。

N溝道耗盡型MOSFET的構(gòu)造和轉(zhuǎn)移特性曲線

P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完整相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。這好像雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。

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