KIA35P10A 產(chǎn)品特征： RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V 100% EAS保證 可用綠色...KIA35P10A 產(chǎn)品特征： RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V 100% EAS保證 可用綠色設(shè)備 超低柵電荷 優(yōu)良的CDV/DT效應(yīng)下降 先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)
5a mos管，mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶...5a mos管，mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)...
MOS管20N50產(chǎn)品特征： 1、KIA20N50H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高功率M...MOS管20N50產(chǎn)品特征： 1、KIA20N50H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高功率MOSFET設(shè)計(jì)的電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源等。有源功率因數(shù)校正。 2、...
mos管散熱器，大功率逆變器MOS管，工作的時(shí)候，發(fā)熱量非常大，如果MOS管散熱效...mos管散熱器，大功率逆變器MOS管，工作的時(shí)候，發(fā)熱量非常大，如果MOS管散熱效果不好，溫度過(guò)高就可能導(dǎo)致MOS管的燒毀，進(jìn)而可能導(dǎo)致整個(gè)電路板的損毀。傳統(tǒng)大功率...
KIA半導(dǎo)體2018ELEXCON深圳國(guó)際電子展圓滿結(jié)束！感謝各位粉絲朋友蒞臨展臺(tái)，參與...KIA半導(dǎo)體2018ELEXCON深圳國(guó)際電子展圓滿結(jié)束！感謝各位粉絲朋友蒞臨展臺(tái)，參與我們現(xiàn)場(chǎng)展會(huì),持續(xù)關(guān)注KIA半導(dǎo)體平臺(tái)，更多活動(dòng)新事分享給您！“物聯(lián)中國(guó)，智慧星球...
場(chǎng)效應(yīng)mos管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管...場(chǎng)效應(yīng)mos管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，由多數(shù)載流...
