mos恒流電路，由信號(hào)源和電壓控制電流源（VCCS）兩部分組成。正弦信號(hào)源采用直...mos恒流電路，由信號(hào)源和電壓控制電流源（VCCS）兩部分組成。正弦信號(hào)源采用直接數(shù)字頻率合成（DDS）技術(shù)，即以一定頻率連續(xù)從EPROM中讀取正弦采樣數(shù)據(jù)，經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換...
to263貼片mos管引腳圖，MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外...to263貼片mos管引腳圖，MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時(shí)還為芯片提供電氣...
場(chǎng)效應(yīng)管irf3205這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅(jiān)固耐用著稱(chēng)的HEXFET設(shè)計(jì)...場(chǎng)效應(yīng)管irf3205這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅(jiān)固耐用著稱(chēng)的HEXFET設(shè)計(jì)，使得場(chǎng)效應(yīng)管irf3205成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。TO-220封裝的場(chǎng)效應(yīng)管...
小功率場(chǎng)效應(yīng)管，小功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxi...小功率場(chǎng)效應(yīng)管，小功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管）...
逆變器13N50產(chǎn)品，KIA13N50 N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高電壓，高速功率...逆變器13N50產(chǎn)品，KIA13N50 N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。
KNX3306A產(chǎn)品主要參數(shù) 產(chǎn)品型號(hào)：KNX3306A 工作方式：80A/60V 漏源極電壓:6...KNX3306A產(chǎn)品主要參數(shù) 產(chǎn)品型號(hào)：KNX3306A 工作方式：80A/60V 漏源極電壓:60V 柵源電壓；±25V 雪崩能量：462.25MJ 接頭和儲(chǔ)存溫度范圍 ：-55℃至+175℃
