為了放大模仿信號(hào)必需運(yùn)用有源器件。MOS晶體管就是一種頻繁運(yùn)用的有源器件。MO...為了放大模仿信號(hào)必需運(yùn)用有源器件。MOS晶體管就是一種頻繁運(yùn)用的有源器件。MOS晶體管的三個(gè)端子中有兩個(gè)分別是輸入端和輸出端。還有第三個(gè)端子，將這個(gè)端子固定為...
先討論將柵極與源極短路、接地（VGS=OV）時(shí)的狀況。如圖1.9所示的MOS晶體管。這...先討論將柵極與源極短路、接地（VGS=OV）時(shí)的狀況。如圖1.9所示的MOS晶體管。這種狀態(tài)下，雖然漏極上加電壓VDS，但是在漏極—源極間簡(jiǎn)直沒(méi)有電流流過(guò)。為什么？如...
MOS器件的特性受電源電壓和環(huán)境溫度的影響，不過(guò)由于構(gòu)成CMOS的p溝、n溝晶體管...MOS器件的特性受電源電壓和環(huán)境溫度的影響，不過(guò)由于構(gòu)成CMOS的p溝、n溝晶體管受影響發(fā)作變化的狀況相同，其結(jié)果在特性方面有時(shí)簡(jiǎn)直沒(méi)有變化。例如，輸入輸出電壓...
集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件 ?? ?在理論上，集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件的應(yīng)用更為...集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件 ?? ?在理論上，集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件的應(yīng)用更為普遍。用于VMOS驅(qū)動(dòng)的集成化器件大致有圖5. 84所示的幾類，它們的基本特性如表5.9所...
4個(gè)MOS晶體管，所以如式(7.2)所示的那樣，在飽和區(qū)下作的MOS晶體管的柵極源極之...4個(gè)MOS晶體管，所以如式(7.2)所示的那樣，在飽和區(qū)下作的MOS晶體管的柵極源極之間的閾值電壓VT上必需加額外的電壓△ov。圖7.4所示的柵源電流源電路中，處于監(jiān)視側(cè)...
在很多，隋況下，MOS晶體管的源極與基底是等電位的。其結(jié)果，使圖1.31中基底（...在很多，隋況下，MOS晶體管的源極與基底是等電位的。其結(jié)果，使圖1.31中基底（襯底或者阱）與溝道間的pn結(jié)處于零偏置。當(dāng)源極—基底間加反向（或者正向）偏置電壓...
