槽柵構(gòu)造有利于進步電流控制才能,但是結(jié)電容大,不利于工作頻率的提高。將平而...槽柵構(gòu)造有利于進步電流控制才能,但是結(jié)電容大,不利于工作頻率的提高。將平而柵極構(gòu)造與雙擴散有機分離起來,就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET,橫向雙擴散...
常用場效應(yīng)管主要有結(jié)型場效應(yīng)管、耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管、加強型絕緣柵場效應(yīng)管...常用場效應(yīng)管主要有結(jié)型場效應(yīng)管、耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管、加強型絕緣柵場效應(yīng)管、雙柵場效應(yīng)管、功率場效應(yīng)管等。
DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個柵極的四端器件,兩個...DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個柵極的四端器件,兩個柵極都可以對溝道進行控制,目的是為了控制的便利性與獨立性,尤其是有兩個控制量的...
MOSFET采用橫向雙擴散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求,MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求,MESFET則采用肖特基勢壘柵極(Schottky Gate FET)結(jié)構(gòu)(圖1.24)。就PN結(jié)的特性而言,與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET,垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET,垂直溝道,雙擴散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
功率MOSFET主要用于計算機外設(shè)(軟、硬驅(qū)動器、打印機、繪圖機)、電源(AC/DC變...功率MOSFET主要用于計算機外設(shè)(軟、硬驅(qū)動器、打印機、繪圖機)、電源(AC/DC變換器、DC/DC變換器)、汽車電子、音響電路及儀器、儀表等領(lǐng)域。